文献
J-GLOBAL ID:200902270573960946
整理番号:04A0859934
ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御
Control of nitrogen depth profile and chemical bonding state in radical nitrided silicon oxide film.
著者 (8件):
河瀬和雅
(三菱電機 先端技術総合研)
,
梅田浩司
(ルネサステクノロジ 生産技術本部)
,
井上真雄
(ルネサステクノロジ 生産技術本部)
,
諏訪智之
(東北大 大学院工学研究科)
,
樋口正顕
(東北大 大学院工学研究科)
,
小村政則
(東北大 大学院工学研究科)
,
寺本章伸
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
,
大見忠弘
(東北大 未来科学技術共同研究セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
104
号:
336(SDM2004 173-179)
ページ:
27-32
発行年:
2004年10月07日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)