文献
J-GLOBAL ID:200902270758189634
整理番号:03A0509438
遠隔表面粗さによるシリコン反転層内の電子散乱
Scattering of electrons in silicon inversion layers by remote surface roughness
著者 (2件):
GAMIZ F
(Univ. Granada, Granada, ESP)
,
ROLDAN J B
(Univ. Granada, Granada, ESP)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
1
ページ:
392-399
発行年:
2003年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)