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文献
J-GLOBAL ID:200902270860377321   整理番号:08A0425102

ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga2O3薄膜の成長

著者 (7件):
篠原大輔
(京大 大学院)
西中浩之
(京大 大学院)
大島考仁
(京大 大学院)
騎馬啓嗣
(京大 大学院)
鎌田雄大
(京大 大学院)
川原村敏幸
(京大 大学院)
藤田静雄
(京大 大学院)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 55th  号:ページ: 618  発行年: 2008年03月27日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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