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文献
J-GLOBAL ID：200902270860377321
整理番号：08A0425102
ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga2O3薄膜の成長
篠原大輔
(京大 大学院)
,
西中浩之
(京大 大学院)
,
大島考仁
(京大 大学院)
,
騎馬啓嗣
(京大 大学院)
,
鎌田雄大
(京大 大学院)
,
川原村敏幸
(京大 大学院)
,
藤田静雄
(京大 大学院)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th 号： 2 ページ： 618 発行年： 2008年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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