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文献
J-GLOBAL ID：200902271102102008
整理番号：03A0062811
熱酸化n-GaN金属-酸化物-半導体キャパシタの界面特性
Interface properties of thermally oxidized n-GaN metal-oxide-semiconductor capacitors.
NAKANO Y
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 2 ページ： 218-220 発行年： 2003年01月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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