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文献
J-GLOBAL ID：200902271169546520
整理番号：05A1022805
n+-ポリシリコン/HfAlOx/SiO2Nチャネル金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタにおけるHfAlOx-HfAlOxの限界反転層移動度の非Coulomb散乱成分の弱い温度依存性
Weak Temperature Dependence of Non-Coulomb Scattering Component of HfAlOx-Limited Inversion Layer Mobility in n+-Polysilicon/HfAlOx/SiO2 N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
YASUDA Naoki
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
HISAMATSU Hirokazu
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 11 ページ： 7750-7755 発行年： 2005年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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