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文献
J-GLOBAL ID：200902271209474510
整理番号：04A0806219
ハイパワー電子素子用のシリコンカーバイドの成長制御における技術的ブレークスルー
Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 10 ページ： 6835-6847 発行年： 2004年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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