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文献
J-GLOBAL ID:200902271209474510   整理番号:04A0806219

ハイパワー電子素子用のシリコンカーバイドの成長制御における技術的ブレークスルー

Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices
著者 (1件):
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 43  号: 10  ページ: 6835-6847  発行年: 2004年10月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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