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文献
J-GLOBAL ID：200902272062921333
整理番号：06A0454894
遷移金属黄銅鉱型半導体における孤立中間バンド形成の第一原理計算
First principles calculation of isolated intermediate bands formation in a transition metal-doped chalcopyrite-type semiconductor
PALACIOS P.
(UPM, Madrid, ESP)
,
SANCHEZ K.
(UPM, Madrid, ESP)
,
CONESA J. C.
(CSIC, Madrid, ESP)
,
WAHNON P.
(UPM, Madrid, ESP)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 203 号： 6 ページ： 1395-1401 発行年： 2006年05月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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