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文献
J-GLOBAL ID：200902272157802528
整理番号：03A0368606
0.18μm CMOSによる1MBメモリ付きの20GS/s 8b ADC
A 20GS/s 8b ADC with a 1MB Memory in 0.18μm CMOS.
POULTON K
(Agilent Lab., CA)
,
NEFF R
(Agilent Lab., CA)
,
SETTERBERG B
(Agilent Lab., CA)
,
WUPPERMANN B
(Agilent Lab., CA)
,
KOPLEY T
(Agilent Lab., CA)
,
JEWETT R
(Agilent Lab., CA)
,
PERNILLO J
(Agilent Lab., CA)
,
TAN C
(Agilent Lab., CA)
,
MONTIJO A
(Agilent Technol., CO)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 46 ページ： 318-319,496 発行年： 2003年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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