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文献
J-GLOBAL ID：200902272309004657
整理番号：03A0258138
低温アニールした[Ga,Mn]Asエピ層の著しいCurie点上昇
Highly enhanced Curie temperature in low-temperature annealed [Ga,Mn]As epilayers
KU K C
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
POTASHNIK S J
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
WANG R F
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
CHUN S H
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
SCHIFFER P
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
SAMARTH N
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
SEONG M J
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
,
MASCARENHAS A
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
,
AWSCHALOM D D
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 14 ページ： 2302-2304 発行年： 2003年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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