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文献
J-GLOBAL ID：200902272511413607
整理番号：08A0887639
薄くて弱い酸化膜の関係する深いトラップに関するストレス誘起の漏れ電流モデル
Deep-Trap Stress Induced Leakage Current Model for Nominal and Weak Oxides
KAMOHARA Shiro
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
KAMOHARA Shiro
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
,
HU Chenming
(Univ. California, CA, USA)
,
OKUMURA Tsugunori
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 8 Issue 1 ページ： 6208-6213 発行年： 2008年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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