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文献
J-GLOBAL ID：200902272765664103
整理番号：04A0394623
4H-SiCによる8.5-mΩ・cm2 600VダブルエピタキシャルMOSFET
8.5-mΩ cm2 600-V Double-Epitaxial MOSFETs in 4H-SiC
HARADA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
OKAMOTO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
YATSUO T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
ADACHI K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
FUKUDA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
ARAI K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 25 号： 5 ページ： 292-294 発行年： 2004年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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