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文献
J-GLOBAL ID：200902272832644260
整理番号：06A0021565
円筒形の完全空乏型サラウンディングゲートMOSFETに関する簡単で解析的な二次元しきい電圧モデル
A compact, analytical two-dimensional threshold voltage model for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate (SG) MOSFETs
CHIANG Te-Kuang
(Southern Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 20 号： 12 ページ： 1173-1178 発行年： 2005年12月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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