文献
J-GLOBAL ID:200902272964240371
整理番号:05A0535241
応答性増強したInGaAs/InPヘテロ接合フォトトランジスタの光学特性
Optical Characteristics of Responsivity-Enhanced InGaAs/InP Heterojunction Phototransistors
著者 (4件):
JO Young-Chang
(Korea Electronics Technol. Inst., KyungGi-Do, KOR)
,
JOE Seuk-Jin
(KAIST, Daejon, KOR)
,
KIM Hoon
(Korea Electronics Technol. Inst., KyungGi-Do, KOR)
,
CHOI Pyong
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
4B
ページ:
2537-2540
発行年:
2005年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)