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文献
J-GLOBAL ID：200902273005506210
整理番号：04A0035042
プラズマ窒化によるAl2O3ゲート誘電体における電荷の抑制およびMOSFET性能の改良
Suppression of Charges in Al2O3 Gate Dielectric and Improvement of MOSFET Performance by Plasma Nitridation
MANABE K
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
ENDO K
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
KAMIYAMA S
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
IWAMOTO T
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
OGURA T
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
IKARASHI N
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
YAMAMOTO T
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E87-C 号： 1 ページ： 30-36 発行年： 2004年01月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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