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文献
J-GLOBAL ID：200902273071307458
整理番号：09A0027097
RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製
Fabrication of regularly arranged InGaN/GaN nanocolumns by Ti mask selective area growth throughout rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
関口寛人
(上智大 理工)
,
関口寛人
(JST-CREST)
,
菊池昭彦
(上智大 理工)
,
菊池昭彦
(上智ナノテクノロジー研究セ)
,
菊池昭彦
(JST-CREST)
,
岸野克巳
(上智大 理工)
,
岸野克巳
(上智ナノテクノロジー研究セ)
,
岸野克巳
(JST-CREST)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108 号： 321(ED2008 152-183) ページ： 1-6 発行年： 2008年11月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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