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文献
J-GLOBAL ID：200902273227367316
整理番号：07A0506393
SiGe HBT電力増幅器とSiGe HBT電圧制御発振器間のK帯基板結合の探求
An Exploration of Substrate Coupling at K-Band Between a SiGe HBT Power Amplifier and a SiGe HBT Voltage-Controlled-Oscillator
COMEAU Jonathan P.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
NAJAFIZADEH Laleh
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
ANDREWS Joel M.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
PRAKASH A. P. Gnana
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
CRESSLER John D.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名：
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
(IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 17 号： 5 ページ： 349-351 発行年： 2007年05月
JST資料番号： W0099A ISSN： 1531-1309 CODEN： IMWCBJ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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