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J-GLOBAL ID：200902273336988541 整理番号：04A0709956

高速電子デバイス用低誘電率窒化ほう素炭素

Boron carbon nitride film with low dielectric constant as passivation film for high speed electronic devices

著者 (4件)：

UMEDA S

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

YUKI T

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

SUGIYAMA T

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

SUGINO T

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名：

Diamond and Related Materials (Diamond and Related Materials)

巻： 13 号： 4/8 ページ： 1135-1138 発行年： 2004年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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