文献
J-GLOBAL ID:200902273513229095
整理番号:05A0632926
39GHz帯域幅を持つGe-on-Si縦入射フォトダイオード
Ge-on-Si Vertical Incidence Photodiodes With 39-GHz Bandwidth
著者 (5件):
JUTZI M
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
BERROTH M
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
WOEHL G
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
OEHME M
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
KASPER E
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
17
号:
7
ページ:
1510-1512
発行年:
2005年07月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)