文献
J-GLOBAL ID:200902273568667008
整理番号:05A0763802
低エネルギー電子線照射によって誘起された単壁炭素ナノチューブの金属-半導体遷移
Metal-Semiconductor Transition in Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Low-Energy Electron Irradiation
著者 (9件):
VIJAYARAGHAVAN Aravind
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
VIJAYARAGHAVAN Aravind
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
KANZAKI Kenichi
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SUZUKI Saturo
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Yoshihiro
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
INOKAWA Hiroshi
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
ONO Yukinori
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KAR Swastik
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
AJAYAN Pulickel M
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
5
号:
8
ページ:
1575-1579
発行年:
2005年08月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)