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文献
J-GLOBAL ID：200902273594420967
整理番号：06A0135144
MBE成長で成長させたGaAsベース室温連続波1.59μmGaInNAsSb単一量子井戸レーザダイオード
GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 μm GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy
NIU Z. C.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
ZHANG S. Y.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
NI H. Q.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
WU D. H.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
ZHAO H.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
PENG H. L.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
XU Y. Q.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
LI S. Y.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
HE Z. H.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
REN Z. W.
(State Key Lab. for Superlattice and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
HAN Q.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
YANG X. H.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
DU Y.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
WU R. H.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 23 ページ： 231121-231121-3 発行年： 2005年12月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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