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文献
J-GLOBAL ID：200902273596455342
整理番号：03A0519514
分子層エピタクシーを用いて作製した240~325GHz GaAs CW 基本モードTUNNETTダイオード
240-325-GHz GaAs CW Fundamental-Mode TUNNETT Diodes Fabricated With Molecular Layer Epitaxy
PLOTKA P
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
,
NISHIZAWA J
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
,
KURABAYASHI T
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
,
MAKABE H
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50 号： 4 ページ： 867-873 発行年： 2003年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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