文献
J-GLOBAL ID:200902273648627473
整理番号:05A0197158
理想的なSi-Ge界面におけるフォノン散乱の格子力学的計算
Lattice-dynamical calculation of phonon scattering at ideal Si-Ge interfaces
著者 (2件):
ZHAO H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
FREUND J B
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
2
ページ:
024903.1-024903.7
発行年:
2005年01月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)