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文献
J-GLOBAL ID：200902273667381566
整理番号：03A0487136
ゲルマニウムpチャネルMOSFETの電気的特性
Electrical Characterization of Germanium p-Channel MOSFETs
SHANG H
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
OKORN-SCHIMDT H
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
OTT J
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
KOZLOWSKI P
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
STEEN S
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
JONES E C
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
WONG H-S P
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
HANESCH W
(T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 24 号： 4 ページ： 242-244 発行年： 2003年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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