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文献
J-GLOBAL ID：200902273700014680
整理番号：05A0535165
ナノスケールの酸化膜上のゲルマニウム構造のMOSFETのスケーリング特性の評価
Evaluations of Scaling Properties for Ge on Insulator MOSFETs in Nano-Scale
DU Gang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Xiao Yan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
XIA Zhi Liang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Ya Ke
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HOU Dan Qiong
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
KANG Jin Feng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HAN Ru Qi
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2195-2197 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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