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J-GLOBAL ID：200902273751595474 整理番号：03A0439062

分子線エピタクシーで成長させたAlGaAs層における酸素取込み機構

Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy

著者 (4件)：

NARITSUKA S

(Meijo Univ., Nagoya, JPN)

KOBAYASHI O

(Meijo Univ., Nagoya, JPN)

MITSUDA K

(Meijo Univ., Nagoya, JPN)

NISHINAGA T

(Meijo Univ., Nagoya, JPN)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 254 号： 3/4 ページ： 310-315 発行年： 2003年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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