文献
J-GLOBAL ID:200902273948370474
整理番号:09A1173250
SiCを基本とするバイポーラ素子に関する設計と技術的考察:BJT,IGBTおよびGTO
Design and technology considerations for SiC bipolar devices: BJTs, IGBTs, and GTOs
著者 (2件):
ZHANG Qingchun
(CREE, Inc., NC, USA)
,
AGARWAL Anant K.
(CREE, Inc., NC, USA)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
206
号:
10
ページ:
2431-2456
発行年:
2009年10月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)