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文献
J-GLOBAL ID：200902273986455513
整理番号：05A0734666
高角環状暗視野走査型透過型電子顕微鏡による歪んだAl0.14Ga0.86N/GaN超格子の各層に対する厚みと格子変形の決定
Determination of thickness and lattice distortion for the individual layer of strained Al0.14Ga0.86N/GaN superlattice by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy
SHIOJIRI M.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
CEH M.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
,
STURM S.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
,
CHUO C. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
HSU J. T.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
YANG J. R.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SAIJO H.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 3 ページ： 031914.1-031914.3 発行年： 2005年07月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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