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文献
J-GLOBAL ID：200902274703112247
整理番号：06A0060959
n+-GaN IDTを有するGaNのSAW特性
SAW characteristics of GaN with n+-GaN IDTs
NISHIMURA K.
(NTT Corp., Kanagawa Pref., JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(NTT Corp., Kanagawa Pref., JPN)
,
YOKOYAMA H.
(NTT Corp., Kanagawa Pref., JPN)
,
HOHKAWA K.
(Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa Pref., JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 42 号： 1 ページ： 62-63 発行年： 2006年01月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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