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J-GLOBAL ID:200902274977880062   整理番号:07A1191176

酸素ラジカルを用いた反応性RFマグネトロンスパッタリングによるTiO2薄膜の成長

Growth of TiO2 thin film by reactive RF magnetron sputtering using oxygen radical
著者 (7件):
OGAWA H.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
HIGUCHI T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
NAKAMURA A.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
TOKITA S.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
MIYAZAKI D.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
HATTORI T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
TSUKAMOTO T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)

資料名:
Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)

巻: 449  号: 1-2  ページ: 375-378  発行年: 2008年01月31日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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