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文献
J-GLOBAL ID：200902274995541291
整理番号：06A0057497
Cat-CVDによるSiNゲート絶縁膜とパッシベーション層を用いたfTが163GHzのAlGaN/GaN MIS-HFET
AlGaN/GaN MIS-HFETs With fT of 163GHz Using Cat-CVD SiN Gate-Insulating and Passivation Layers
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 1 ページ： 16-18 発行年： 2006年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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