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文献
J-GLOBAL ID：200902275164942113
整理番号：05A0244145
有機金属化学気相蒸着法によって成長させた低温成長AlGaAsクラッド層を持つ積層InAs/GaAs量子ドットからの1.28μmレーザ発振
1.28μm lasing from stacked InAs/GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition
TATEBAYASHI J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HATORI N
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ISHIDA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
EBE H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGAWARA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUDO H
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KURAMATA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 5 ページ： 053107.1-053107.3 発行年： 2005年01月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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