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文献
J-GLOBAL ID：200902275195611875
整理番号：09A0458658
容量電圧特性を用いた空気中のペンタセン系MOSダイオードの安定性に関する研究
Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics
AKHTARUZZAMAN Md.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHMI Shun-ichiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
NISHIDA Jun-ichi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
YAMASHITA Yoshiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ISHIWARA Hiroshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C178.1-04C178.3 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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