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文献
J-GLOBAL ID：200902275362155771
整理番号：07A0739489
非常に低いオン抵抗5mΩcm2を持つ1.2kV 4H-SiC MOSFETの開発成功
Successful Development of 1.2kV 4H-SiC MOSFETs with the Very Low On-Resistance of 5mΩcm2
MIURA Naruhisa
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
FUJIHIRA Keiko
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NAKAO Yukiyasu
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
WATANABE Tomokatsu
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TARUI Yoichiro
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KINOUCHI Shin-ichi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IMAIZUMI Masayuki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OOMORI Tatsuo
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 18th ページ： 261-264 発行年： 2006年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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