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文献
J-GLOBAL ID：200902275383141215
整理番号：08A0557535
シリコン-ゲルマニウムソースを有する二重ゲートトンネル電界効果トランジスタの素子設計及びスケーラビリティ
Device Design and Scalability of a Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor with Silicon-Germanium Source
TOH Eng-Huat
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
WANG Grace Huiqi
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
CHAN Lap
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
SYLVESTER Dennis
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
HENG Chun-Huat
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
SAMUDRA Ganesh S.
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
,
YEO Yee-Chia
(National Univ. Singapore (NUS), Singapore)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 4 Issue 2 ページ： 2593-2597 発行年： 2008年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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