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文献
J-GLOBAL ID：200902275621933494
整理番号：09A0334313
積み重ねたGe/Si/SiO2構造の固相結晶化へのSi層厚みの効果
Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structures
SADOH Taizoh
(Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OHTA Hiroki
(Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIYAO Masanobu
(Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 3,Issue 3 ページ： 03B004.1-03B004.3 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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