文献
J-GLOBAL ID:200902275701096097
整理番号:08A0194853
70nm16Gb16レベルセルNANDフラッシュメモリ
A 70nm 16Gb 16-level-cell NAND Flash Memory
著者 (23件):
SHIBATA Noboru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
MAEJIMA Hiroshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
ISOBE Katsuaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
IWASA Kiyoaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
NAKAGAWA Michio
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
FUJIU Masaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
SHIMIZU Takahiro
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
HONMA Mitsuaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
HOSHI Satoru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
KAWAAI Toshimasa
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
KANEBAKO Kazunori
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
YOSHIKAWA Susumu
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
TABATA Hideyuki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
INOUE Atsushi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Toshiyuki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
SHANO Toshifumi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
KOMATSU Yukio
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
NAGABA Katsushi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
KOSAKAI Mitsuhiko
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
MOTOHASHI Noriaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
KANAZAWA Kazuhisa
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
IMAMIYA Kenichi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
NAKAI Hiroto
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2007
ページ:
151-152
発行年:
2007年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)