文献
J-GLOBAL ID:200902275702528462
整理番号:05A0677921
TaF5とSi2H6を用いたSiO2上でのTaSix薄膜の原子層堆積
Atomic layer deposition of TaSi x thin films on SiO2 using TaF5 and Si2H6
著者 (6件):
LEMONDS A.m.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
,
BOLOM T.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
,
AHEARN W.j.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
,
GAY D.c.
(Dep. of Chemistry and Biochemistry, The Univ. of Texas at Austin, Austin, 78712 TX, USA)
,
WHITE J.m.
(Dep. of Chemistry and Biochemistry, The Univ. of Texas at Austin, Austin, 78712 TX, USA)
,
EKERDT J.g.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
488
号:
1-2
ページ:
9-14
発行年:
2005年09月22日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)