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文献
J-GLOBAL ID:200902275702528462   整理番号:05A0677921

TaF5とSi2H6を用いたSiO2上でのTaSix薄膜の原子層堆積

Atomic layer deposition of TaSi x thin films on SiO2 using TaF5 and Si2H6
著者 (6件):
LEMONDS A.m.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
BOLOM T.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
AHEARN W.j.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)
GAY D.c.
(Dep. of Chemistry and Biochemistry, The Univ. of Texas at Austin, Austin, 78712 TX, USA)
WHITE J.m.
(Dep. of Chemistry and Biochemistry, The Univ. of Texas at Austin, Austin, 78712 TX, USA)
EKERDT J.g.
(Dep. of Chemical Engineering, The Univ. of Texas at Austin, USA)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 488  号: 1-2  ページ: 9-14  発行年: 2005年09月22日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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