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文献
J-GLOBAL ID:200902275803256315   整理番号:04A0870107

高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極

Al-Free n-Type Ohmic Contact for AlGaN/GaN Power HEMTs
著者 (6件):
多木俊裕
(富士通研)
金村雅仁
(富士通研)
高橋剛
(富士通研)
吉川俊英
(富士通研)
常信和清
(富士通研)
原直紀
(富士通研)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 104  号: 359(CPM2004 90-108)  ページ: 83-86  発行年: 2004年10月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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