文献
J-GLOBAL ID:200902275910134109
整理番号:07A0078080
GaNの結晶度改善におけるブレークスルーとp-n接合青色発光ダイオード
Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode
著者 (3件):
AKASAKI Isamu
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI Isamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO Hiroshi
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
12
ページ:
9001-9010
発行年:
2006年12月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)