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文献
J-GLOBAL ID：200902275913071167
整理番号：09A0590859
ヘキサメチルジシランおよび紫外光励起オゾンを用いて200°Cで成長させた化学的気相成長SiO2に対する高度濃縮(≧90%)オゾンの利点
Advantage of Highly Concentrated (≧90%) Ozone for Chemical Vapor Deposition SiO2 Grown under 200°C Using Hexamethyldisilazane and Ultraviolet Light Excited Ozone
KAMEDA Naoto
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KAMEDA Naoto
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
NISHIGUCHI Tetsuya
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NISHIGUCHI Tetsuya
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Yoshiki
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KEKURA Mitsuru
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NONAKA Hidehiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA Shingo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 5,Issue 2 ページ： 05DB01.1-05DB01.4 発行年： 2009年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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