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文献
J-GLOBAL ID：200902275953085250
整理番号：06A0069282
バルクのヘテロ接合法による同時二極性の有機物光放出トランジスターの制御可能な光電的性質
Tuning Optoelectronic Properties of Ambipolar Organic Light-Emitting Transistors Using a Bulk-Heterojunction Approach
LOI Maria Antonietta
(Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA)
,
ROST-BIETSCH Constance
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
MURGIA Mauro
(Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA)
,
KARG Siegfried
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
RIESS Walter
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
MUCCINI Michele
(Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 16 号： 1 ページ： 41-47 発行年： 2006年01月05日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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