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文献
J-GLOBAL ID:200902276011098964   整理番号:04A0874734

多結晶シリコンにおける結晶粒界の電子ビーム誘起電流による研究

Electron-beam-induced current study of grain boundaries in multicrystalline silicon
著者 (6件):
CHEN J
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
SEKIGUCHI T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
YANG D
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
YIN F
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
KIDO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
TSUREKAWA S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 96  号: 10  ページ: 5490-5495  発行年: 2004年11月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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