文献
J-GLOBAL ID:200902276011098964
整理番号:04A0874734
多結晶シリコンにおける結晶粒界の電子ビーム誘起電流による研究
Electron-beam-induced current study of grain boundaries in multicrystalline silicon
著者 (6件):
CHEN J
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
SEKIGUCHI T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
YANG D
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
YIN F
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
KIDO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TSUREKAWA S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
10
ページ:
5490-5495
発行年:
2004年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)