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文献
J-GLOBAL ID：200902276049362304
整理番号：04A0651697
ナノスケールデバイス用途のための酸化タンタル誘電体薄膜のCVD
CVD of Tantalum Oxide Dielectric Thin Films for Nanoscale Device Applications
ZENG W
(SUNY, New York, USA)
,
EISENBRAUN E
(SUNY, New York, USA)
,
FRISCH H
(SUNY, New York, USA)
,
SULLIVAN J J
(SUNY, New York, USA)
,
KALOYEROS A E
(SUNY, New York, USA)
,
MARGALIT J
(H.C. Starck, Inc., Massachusetts, USA)
,
BECK K
(H.C. Starck, GmbH, Goslar, DEU)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 151 号： 8 ページ： F172-F177 発行年： 2004年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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