文献
J-GLOBAL ID:200902276263514812
整理番号:04A0743987
酸化物半導体中に発生させた熱生成正孔を用いるプラスチック廃棄物の完全処理
Complete Disposal of Plastic Wastes Utilizing Thermally-generated Holes in Oxide Semiconductors
著者 (4件):
MIZUGUCHI J
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SHINBARA T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
MAKINO T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名:
日本画像学会誌
(Journal of Imaging Society of Japan)
巻:
43
号:
5
ページ:
310-312
発行年:
2004年09月10日
JST資料番号:
G0323A
ISSN:
1344-4425
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)