文献
J-GLOBAL ID:200902276272614480
整理番号:08A0548964
新しい湿式エッチングで作製したGaNベ-スのトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
GaN-Based Trench Gate Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Fabricated with Novel Wet Etching
著者 (10件):
KODAMA Masahito
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
SUGIMOTO Masahiro
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
HAYASHI Eiko
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
SOEJIMA Narumasa
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
ISHIGURO Osamu
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
KANECHIKA Masakazu
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
ITOH Kenji
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
UEDA Hiroyuki
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
UESUGI Tsutomu
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
KACHI Tetsu
(Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
1
号:
2
ページ:
021104.1-021104.3
発行年:
2008年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)