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文献
J-GLOBAL ID：200902276293559977
整理番号：09A0720258
Siデルタドープしたm面AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ
Si Delta-Doped m-Plane AIGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors
FUJIWARA Tetsuya
(Univ. California, CA, USA)
,
FUJIWARA Tetsuya
(ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
KELLER Stacia
(Univ. California, CA, USA)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(Univ. California, CA, USA)
,
SPECK James S.
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 6 ページ： 061003.1-061003.3 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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