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文献
J-GLOBAL ID：200902276418533738
整理番号：06A1038952
異なる誘電率の多孔質シリカ低k膜のプラズマエッチ速度
Plasma Etch Rates of Porous Silica Low-k Films with Different Dielectric Constants
ONO Tetsuo
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Hideki
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA Keizo
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
FUJII Nobutoshi
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
HATA Nobuhiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KIKKAWA Takamaro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KIKKAWA Takamaro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 11 ページ： 8873-8875 発行年： 2006年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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