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文献
J-GLOBAL ID：200902276600190110
整理番号：07A1033217
9,9′-スピロビフルオレン誘導体の極低しきい値自然放射増幅光及び電界効果トランジスタ構造によるエレクトロルミネセンス
Extremely Low-Threshold Amplified Spontaneous Emission of 9,9′-Spirobifluorene Derivatives and Electroluminescence from Field-Effect Transistor Structure
NAKANOTANI Hajime
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKANOTANI Hajime
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
AKIYAMA Seiji
(Mitsubishi Chemical Group, Yokohama, JPN)
,
OHNISHI Dai
(Rohm Co., Kyoto, JPN)
,
MORIWAKE Masato
(Rohm Co., Kyoto, JPN)
,
YAHIRO Masayuki
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YOSHIHARA Toshitada
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
TOBITA Seiji
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
ADACHI Chihaya
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ADACHI Chihaya
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 17 号： 14 ページ： 2328-2335 発行年： 2007年09月24日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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