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文献
J-GLOBAL ID：200902276644785936
整理番号：03A0143732
プラズマ支援分子線エピタクシーで成長させたAlN/GaNヘテロ構造の輸送特性に関連する歪緩和
Strain relaxation correlated with the transport properties of AlN/GaN heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.
JEGANATHAN K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
IDE T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 93 号： 4 ページ： 2047-2050 発行年： 2003年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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