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J-GLOBAL ID:200902276807007561   整理番号:07A0210630

Si(100)上の超真空化学蒸着による高品質Geエピ層の成長のための超薄低温SiGeバッファ

Ultrathin low temperature SiGe buffer for the growth of high quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
著者 (8件):
LOH T. H.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
NGUYEN H. S.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
TUNG C. H.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
TRIGG A. D.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
LO G. Q.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
BALASUBRAMANIAN N.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
KWONG D. L.
(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)
TRIPATHY S.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 90  号:ページ: 092108-092108-3  発行年: 2007年02月26日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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